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On the electronic properties of β-rhombohedral boron interstitially doped with 3d transition metal atoms
被引：0
作者：
Gerhard Mercator Univ Duisburg, Duisburg, Germany
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机构：
来源：
J Alloys Compd
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372-380期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
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