COMPUTER SIMULATION OF RANGE AND DAMAGE DISTRIBUTIONS OF He IONS IN SiC.

被引：0

作者：

Miyagawa, Yoshiko ^{[1
]}

Ato, Yasuro ^{[1
]}

Miyagawa, Soji ^{[1
]}

机构：

[1] Government Industrial Research Inst, Nagoya, Jpn, Government Industrial Research Inst, Nagoya, Jpn

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes | 1984年 / 23卷 / 11期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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