Strained lattice structure analysis of InGaAsP multilayers using thickness fringes in transmission electron microscopy images

被引：0

作者：

机构：

[1] Tsuneta, Ruriko

[2] Tsuchiya, Tomonobu

[3] Kakibayashi, Hiroshi

来源：

Tsuneta, Ruriko | 1784年 / JJAP, Minato-ku卷 / 34期

关键词：

Crystal lattices - Crystal structure - Deposition - Interfaces (materials) - Multilayers - Photoluminescence - Semiconducting gallium arsenide - Semiconducting indium phosphide - Strain - Stresses - Substrates - Transmission electron microscopy;

D O I：

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学科分类号：

摘要：

引用