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Simulation of uphill diffusion behaviour of Si-implanted GaAs
被引：0
作者：
Hong Kong Polytechnic Univ, Kowloon, Hong Kong
[1
]
机构：
来源：
Modell Simul Mater Sci Eng
|
/
6卷
/
613-621期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
Semiconducting silicon
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