High-gain, modulation-doped photodetector using low-temperature MBE-grown GaAs

被引：0

作者：

Subramanian, S. ^{[1
]}

Schulte, D. ^{[1
]}

Ungier, L. ^{[1
]}

Zhao, P. ^{[1
]}

Plant, T.K. ^{[1
]}

Arthur, J.R. ^{[1
]}

机构：

[1] Oregon State Univ, Corvallis, United States

来源：

IEEE Electron Device Letters | 1995年 / 16卷 / 01期

关键词：

Charge separation - High photodetection sensitivity - Modulation doped photodetector - Photoconducting channel - Responsivity - Wavelength;

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

引用

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