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Characterization of thin SiN film formed with electron cyclotron resonance nitrogen plasma
被引：0
作者：
NTT LSI Lab, Kanagawa, Japan
[1
]
机构：
来源：
J Vac Sci Technol B
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/
3卷
/
876-880期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
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