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POSITRON ANNIHILATION IN SILICON SUBJECTED TO LASER RADIATION.
被引：0
作者：
Druzhkov, A.P.
Khaibullin, I.B.
Bayazitov, R.M.
Shtyrkov, E.I.
Suslov, L.A.
机构：
来源：
Soviet physics. Semiconductors
|
1979年
/
13卷
/
05期
关键词：
Compendex;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
SEMICONDUCTING SILICON
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页码：574 / 576
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