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Mechanism for Si island retention in buried SiO2 layers formed by oxygen ion implantation
被引：0
作者：
Afanas'ev, V.V.
Stesmans, A.
Revesz, A.G.
Hughes, H.L.
机构：
来源：
Applied Physics Letters
|
1997年
/
71卷
/
15期
关键词：
D O I：
暂无
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