INFLUENCE OF TUNNEL GENERATION PROCESSES ON THE RELAXATION OF THE CAPACITANCE OF METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR STRUCTURES.

被引:0
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作者
V'yukov, L.A.
Suris, R.A.
机构
来源
Soviet physics. Semiconductors | 1982年 / 16卷 / 10期
关键词
D O I
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摘要
SEMICONDUCTOR DEVICES, MIS
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