Suppression of Boron penetration in BF2+-implanted poly-Si gate

被引：0

作者：

Chao, Tien Sheng ^{[1
]}

Chu, Chih-Hsun ^{[1
]}

Wang, Chuan Fu ^{[1
]}

Ho, Kuai Junz ^{[1
]}

Lei, Tan Fu ^{[1
]}

Lee, Chung Len ^{[1
]}

机构：

[1] Natl Nano Device Lab, Hsinchu, Taiwan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes & Review Papers | 1996年 / 35卷 / 12 A期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

MOSFET devices

引用

页码：6003 / 6007