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Growth of GaAsxSb1 - x Layers on InAs Substrates by the Method of Liquid-phase Epitaxy.
被引：0
作者：
Dvoryankin, V.F.
Kokovikhin, S.V.
Telegi, A.A.
Ormont, A.B.
机构：
来源：
Neorganiceskie materialy
|
1981年
/
17卷
/
05期
关键词：
Compendex;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
SEMICONDUCTING FILMS
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页码：783 / 785
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