Schottky contacts on n-InP with high barrier heights and reduced fermi-level pinning by a novel in situ electrochemical process

被引：0

作者：

Wu, Nan-Jian ^{[1
]}

Hashizume, Tamotsu ^{[1
]}

Hasegawa, Hideki ^{[1
]}

Amemiya, Yoshihito ^{[1
]}

机构：

[1] Hokkaido Univ, Sapporo, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes & Review Papers | 1995年 / 34卷 / 2 B期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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