Luminescence properties of Er implanted p-type and n-type 3C SiC/Si

被引：0

作者：

Meiji Univ, Kanagawa, Japan ^{[1
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机构：

来源：

Nucl Instrum Methods Phys Res Sect B | / 1-4卷 / 507-511期

关键词：

Number:; 10650020; Acronym:; -; Sponsor:; MEXT; Sponsor: Ministry of Education; Culture; Sports; Science and Technology;

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

引用