Deposition of silicon nitride by low-pressure electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition in N2/Ar/SiH4

被引：0

作者：

Moshkalyov, S.A.

Diniz, J.A.

Swart, J.W.

Tatsch, P.J.

Machida, M.

机构：

来源：

Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena | 1997年 / 15卷 / 06期

关键词：

D O I：

暂无

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