未找到相关数据
INFLUENCE OF HEAT TREATMENT ON CARRIER RECOMBINATION IN GERMANIUM CONTAINING DISLOCATIONS WITH DENSITIES FROM 0 TO 105 cm - 2.
被引：0
作者：
Gavrilov, G.M.
Goncharov, L.A.
Kervalishvili, P.D.
Pan'kevich, N.V.
机构：
来源：
Soviet physics. Semiconductors
|
1982年
/
16卷
/
08期
关键词：
Compendex;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
SEMICONDUCTING GERMANIUM
引用
收藏
页码：938 / 939
相关论文