On the validity of the amphoteric-defect model in gallium arsenide and a criterion for Fermi-level pinning by defects

被引：0

作者：

Chen, C.-H. ^{[1
]}

Tan, T.Y. ^{[1
]}

机构：

[1] Duke Univ, Durham, United States

来源：

Applied Physics A: Materials Science and Processing | 1995年 / 61卷 / 04期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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