Spatial variation of the etch rate for deep etching of silicon by reactive ion etching

被引：0

作者：

Andersen, Bo Asp Moller

Hansen, Ole

Kristensen, Martin

机构：

来源：

Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena | 1997年 / 15卷 / 04期

关键词：

D O I：

暂无

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摘要：

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