NEW SURFACE STRUCTURE OF Pd ON Si(III) STUDIED BY LOW-ENERGY ION-SCATTERING SPECTROSCOPY AND LEED-AES.

被引：0

作者：

Yabuuchi, Yasufumi

Shoji, Fumiya

Oura, Kenjiro

Hanawa, Teruo

Kishikawa, Yozo

Okada, Satoshi

机构：

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters | 1982年 / 21卷 / 12期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

SEMICONDUCTING SILICON

引用

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