未找到相关数据
Interface roughness and asymmetric current-voltage characteristics in resonant tunnelling
被引：0
|作者：
机构：
[1] Rudberg, Bjorn G.R.
来源：
Rudberg, Bjorn G.R.
|
1600年
/
05期
关键词：
Semiconductor Devices;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
引用
收藏
相关论文