Modeling of germanium atomic-layer-epitaxy

被引：0

作者：

Sugahara, Satoshi ^{[1
]}

Matsumura, Masakiyo ^{[1
]}

机构：

[1] Tokyo Inst of Technology, Tokyo, Japan

来源：

Applied Surface Science | 1997年 / 112卷

关键词：

D O I：

暂无

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学科分类号：

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页码：176 / 186

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