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Highly optimized tight-binding model of silicon
被引：0
作者：
Lenosky, T. J.
Kress, J. D.
Kwon, I.
Voter, A. F.
机构：
来源：
Physical Review B: Condensed Matter
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55卷
/
03期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
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