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Photoluminescence from trapped excitons in Si1-xGex/Si quantum well structures
被引：0
作者：
Fudan Univ, Shanghai, China
[1
]
机构：
来源：
J Phys Condens Matter
|
/
21卷
/
3947-3954期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
12
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