Analysis of ion-implanted silicon using high-resolution X-ray diffraction

被引：0

作者：

Pesek, A. ^{[1
]}

机构：

[1] Johannes Kepler Universitat Linz, Linz, Austria

来源：

Applied Physics A: Solids and Surfaces | 1994年 / 58卷 / 03期

关键词：

Semiconducting silicon;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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