Buried-oxide layer formation by high-dose oxygen-ion implantation into Si wafers: SIMOX (separation by implanted oxygen)

被引：0

作者：

Nippon Steel Corp, Sagamihara, Japan ^{[1
]}

机构：

来源：

Appl Surf Sci | / 1-4卷 / 259-264期

关键词：

D O I：

暂无

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