Electronic structures of p-type GaN codoped with Be or Mg as the acceptors and Si or O as the donor codopants

被引：0

作者：

Yamamoto, Tetsuya ^{[1
]}

Katayama-Yoshida, Hiroshi ^{[1
]}

机构：

[1] Osaka Univ, Osaka, Japan

来源：

Journal of Crystal Growth | / 189-190卷

关键词：

D O I：

暂无

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页码：532 / 536

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