Vacancy-type defects in nitrogen-doped silicon

被引：0

作者：

Yu, Xuegong ^{[1
]}

Yang, Deren ^{[1
]}

Ma, Xiangyang ^{[1
]}

Li, Liben ^{[1
]}

Que, Duanlin ^{[1
]}

机构：

[1] Lab. of Silicon Mat., Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, China

来源：

Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors | 2002年 / 23卷 / 12期

关键词：

Czochralski silicon - Nitrogen doping - Vacancy type defects;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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