Preparation of stable F-doped SiO2 thin films from Si(NCO)4/SiF4/O2 gas mixtures using a conventional capacitively coupled RF plasma source

被引：0

作者：

Sawada, Mahito ^{[1
]}

Nakagami, Yuko ^{[1
]}

Shirafuji, Tatsuru ^{[1
]}

Hayashi, Yasuaki ^{[1
]}

Nishino, Shigehiro ^{[1
]}

机构：

[1] Kyoto Inst of Technology, Kyoto, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes & Review Papers | 1997年 / 36卷 / 7 B期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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