Modeling of silicon carbide crystal growth by physical vapor transport method

被引：4

作者：

Ma, R.-H. ^{[1
]}

Chen, Q.-S. ^{[1
]}

Zhang, H. ^{[1
]}

Prasad, V. ^{[1
]}

Balkas, C.M. ^{[2
]}

Yushin, N.K. ^{[2
]}

机构：

[1] Consortium for Crystal Growth Res., Stt. Univ. New York at Stony Brook, Stony Brook, NY 11794-2300, United States

[2] Sterling Semiconductor Inc., Sterling, VA 20166, United States

来源：

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Crystal growth

引用

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