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BUSFET - a radiation-hardened SOI transistor
被引：0
作者：
Sandia Natl Lab, Albuquerque, United States
[1
]
机构：
来源：
IEEE Trans Nucl Sci
|
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6 I卷
/
1809-1816期
关键词：
All Open Access;
Green;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
Field effect transistors
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