Defect production in phosphorus ion-implanted SiO2(43 nm)/Si studied by a variable-energy positron beam

被引：0

作者：

机构：

[1] Uedono, Akira

[2] Wei, Long

[3] Dosho, Chisei

[4] Kondo, Hitoshi

[5] Tanigawa, Shoichiro

[6] Sugiura, Jun

[7] Ogasawara, Makoto

来源：

Uedono, Akira | 1600年 / 30期

关键词：

D O I：

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