Erratum: Conductive SiO2/HfO2 distributed Bragg reflector achieved by electrical breakdown and its application in GaN-based light emitters (J. Appl. Phys. (2022) 131 (045301) DOI: 10.1063/5.0074868)

被引：0

作者：

Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo ^{[1
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315201, China

不详 ^{[2
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100049, China

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230026, China

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315100, China

机构：

来源：

J Appl Phys | / 7卷

关键词：

Compendex;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用