Impact of high-k HfO2 dielectric on the low-frequency noise behaviors in amorphous ingazno thin film transistors

被引：0

作者：

Semiconductor Laboratory, Samsung Advanced Institute of Technology, Yongin, Gyeonggi 446-712, Korea, Republic of ^{[1
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机构：

来源：

Jpn. J. Appl. Phys. | / 10卷 / 1002051-1002053期

关键词：

Compendex;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Thin films

引用