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Point defects introduced by InN alloying into InxGa 1-xN probed using a monoenergetic positron beam
被引：0
作者：
机构：
[1] Uedono, A.
[2] Tsutsui, T.
[3] Watanabe, T.
[4] Kimura, S.
[5] Zhang, Y.
[6] 2,Lozach, M.
[7] Sang, L.W.
[8] Ishibashi, S.
[9] Sumiya, M.
来源：
Uedono, A.
|
1600年
/
American Institute of Physics Inc.卷
/
113期
关键词：
Electric fields;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
Journal article (JA)
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