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被引：0
|作者：
Fukuoka University, 8-19-1, Nanakuma, Jonan-ku, Fukuoka 814-0180, Japan
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]
机构：
来源：
IEEJ Trans. Ind Appl.
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7卷
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974-975期
关键词：
Compendex;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
Insulated gate bipolar transistors (IGBT)
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