Intersubband transitions in InGaAsN/GaAs quantum wells

被引：0

作者：

Liu, W. ^{[1
]}

Zhang, D.H. ^{[1
]}

Fan, W.J. ^{[1
]}

Hou, X.Y. ^{[2
]}

Jiang, Z.M. ^{[2
]}

机构：

[1] School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798, Singapore

[2] Department of Physics, Fudan University, China

来源：

Journal of Applied Physics | 2008年 / 104卷 / 05期

关键词：

III-V semiconductors;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Journal article (JA)

引用