Low-temperature preparation of ZnO films on Si substrates by MOCVD

被引：0

作者：

Materials Center, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Science, Beijing 100083, China ^{[1
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机构：

来源：

J Fun Mater Dev | 2006年 / 1卷 / 63-66期

关键词：

D O I：

暂无

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学科分类号：

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