Effects of InGaN barriers with low indium content on internal quantum efficiency of blue InGaN multiple quantum wells

被引：0

作者：

Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China ^{[1
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机构：

来源：

Chin. Phys. | 1674年 / 7卷

关键词：

Compendex;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Semiconductor quantum wells

引用