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Buffer insertion during timing-driven placement
被引：0
作者：
机构：
[1] Papa, David A.
[2] Markov, Igor L.
来源：
Papa, D.A.
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2013年
/
Springer Verlag卷
/
166 LNEE期
关键词：
Gates;
(transistor);
D O I：
10.1007/978-1-4614-1356-1-3
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
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