The potential and the drawbacks of underlap single-gate ultrathin SOI MOSFET

被引：0

作者：

Yoshioka, Yoshimasa ^{[1
]}

Hamada, Mitsuo ^{[1
]}

Omura, Yasuhisa ^{[1
]}

机构：

[1] Grad. School of Eng., Kansai University, 3-3-35, Yamate-cho, Suita, Osaka, 564-8680, Japan

来源：

Technology Reports of Kansai University | 2008年 / 50卷

关键词：

18;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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