Bonding and photoluminescence characteristics of GaInAsP/InP membrane structure on silicon-on-insulator waveguides by surface activated bonding

被引：0

作者：

Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan ^{[1
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不详 ^{[2
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机构：

来源：

Jpn. J. Appl. Phys. | / 8 PART 1卷

关键词：

Compendex;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Temperature

引用