A comparison of Al2O3/HfO2 and Al 2O3/ZrO2 bilayers deposited by the atomic layer deposition method for potential gate dielectric applications

被引：0

作者：

Kim, Inhoe ^{[1
]}

Koo, Jaehyoung ^{[1
]}

Lee, Janghee ^{[1
]}

Jeon, Hyeongtag ^{[1
]}

机构：

[1] Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 133-791, Korea, Republic of

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers | 1600年 / 45卷 / 2 A期

关键词：

17;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Journal article (JA)

引用

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