Design of IGBT driver in high voltage PFN charging power supply

被引：0

作者：

National Synchrotron Radiation Laboratory, University of Science and Technology of China, Hefei 230029, China ^{[1
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机构：

来源：

Gaodianya Jishu | 2006年 / 2卷 / 78-80期

关键词：

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

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