Nanoscale observations on the degradation phenomena of phase-change nonvolatile memory devices using Ge2Sb2Te5

被引：0

作者：

Yoon, Sung-Min ^{[1
]}

Choi, Kyu-Jeong ^{[1
]}

Lee, Nam-Yeal ^{[1
]}

Lee, Seung-Yun ^{[1
]}

Park, Young-Sam ^{[1
]}

Yu, Byoung-Gon ^{[1
]}

机构：

[1] IT Convergence and Component Laboratory, Electronics and Telecommunications Research Institute, 161 Gajeong-dong, Yuseong-gu, Daejeon 305-350, Korea, Republic of

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters | 1600年 / 46卷 / 4-7期

关键词：

10;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Journal article (JA)

引用