Deep-hole traps in p-type GaAs1-xBix grown by molecular beam epitaxy

被引：0

作者：

Department of Electronics, Kyoto Institute of Technology, Kyoto 606-8585, Japan ^{[1
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机构：

来源：

Jpn. J. Appl. Phys. | / 8 PART 1卷

关键词：

Compendex;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Molecular beam epitaxy

引用