Comparative study of p+/n+ gate modified saddle metal oxide semiconductor field effect transistors and p+/n+ gate bulk fin field effect transistors for sub-40 nm dynamic random access memory cell transistors

被引：0

作者：

Park, Ki-Heung ^{[1
]}

Lee, Jong-Ho ^{[1
]}

机构：

[1] School of Electrical Engineering and Computer Science, Kyungpook National University, Sankyuk-dong, Buk-gu, Daegu 702-701, Korea, Republic of

来源：

Japanese Journal of Applied Physics | 2008年 / 47卷 / 7 PART 1期

关键词：

11;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Journal article (JA)

引用

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