Secondary electron potential contrast in wide-bandgap semiconductors: More than just dopant profiling with the SEM

被引：0

作者：

Buzzo, Marco ^{[1
]}

Ciappa, Mauro ^{[2
]}

Fichtner, Wolfgang ^{[2
]}

机构：

[1] Infineon Technologies, Villach, Austria

[2] Swiss Federal Institute of Technology (ETH), Zürich, Switzerland

来源：

Electronic Device Failure Analysis | 2007年 / 9卷 / 02期

关键词：

(Edited Abstract);

D O I：

10.31399/asm.edfa.2007-2.p019

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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