High-performance short-gate InAlN/GaN heterostructure field-effect transistors

被引：0

作者：

Higashiwaki, Masataka ^{[1
]}

Mimura, Takashi ^{[1
,2
]}

Matsui, Toshiaki ^{[1
]}

机构：

[1] National Institute of Information and Communications Technology, 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, Japan

[2] Fujitsu Laboratories Ltd., 10-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters | 2006年 / 45卷 / 29-32期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Journal article (JA)

引用