Erratum: Border trap evaluation for SiO2/GeO2/Ge gate stacks using deep-level transient spectroscopy (J. Appl. Phys. (2018) 124 (205303) DOI: 10.1063/1.505529)

被引：0

作者：

Wen, Wei-Chen ^{[1
]}

Yamamoto, Keisuke ^{[1
]}

Wang, Dong ^{[1
]}

Nakashima, Hiroshi ^{[2
]}

机构：

[1] Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyushu University, 6-1 Kasuga-koen, Fukuoka,816-8580, Japan

[2] Global Innovation Center, Kyushu University, 6-1 Kasuga-koen, Fukuoka,816-8580, Japan

来源：

Journal of Applied Physics | 2020年 / 127卷 / 16期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Erratum (ER)

引用