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An analytical DC model with self-heating effect for microwave AlGaN/GaN high electron mobility transistores
被引：0
作者：
Tayel, M.
Elgendy, A.
机构：
[1] Electrical Eng. Dept., Faculty of Engineering, Alexandria University, Alexandria, Egypt
[2] Air Defense College, Alexandria, Egypt
来源：
AEJ - Alexandria Engineering Journal
|
2006年
/
45卷
/
06期
关键词：
18;
D O I：
暂无
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页码：675 / 680
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