Nonlinear charge transport in highly polar semiconductors: GaN, AlN, InN and GaAs

被引：0

作者：

机构：

[1] Rodrigues, Clóves G

[2] Luzzi, Roberto

来源：

Rodrigues, Clóves G (cloves@pucgoias.edu.br) | 1600年 / Springer卷 / 95期

关键词：

Quantum theory - Semiconducting gallium - III-V semiconductors - Kinetic theory - Electric fields - Gallium nitride - Semiconducting gallium arsenide - Wide band gap semiconductors - Aluminum nitride - Monte Carlo methods;

D O I：

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引用